服務熱線
13910820560
產(chǎn)品特點:
束流大小:1pA~40nA,電子束駐留時間:≥20ns(視頻級成像)。
鏡筒內置韋恩過濾器,確保鏡筒內探測器接受效率。
透鏡系統(tǒng):多級高性能透鏡系統(tǒng),低像差錐形物鏡。
物鏡光闌:三孔光闌,可實現(xiàn)真空外二維雙軸微米級精細調節(jié),保留手動調節(jié)功能。
不少于14個可擴展接口,可接 WDS、EDS、BSE、EBSD等多種探測器
技術指標:
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分辨率 |
二次電子分辨率:0.8nm@15kV(SE),1.5nm@1kV(SE), 背散射電子分辨率:2.5nm@30kV(BSE) |
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放大倍數(shù) |
底片放大倍率范圍≥1X-3000000X,光學放大≥100倍 |
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電子槍 |
肖特基熱場發(fā)射電子槍 |
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加速電壓 |
20V~30kV,連續(xù)可調 |
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自動調整功能 |
自動對中、聚焦、亮度、對比度、消像散 |
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探測器 |
高真空二次電子探測器、背散射電子探測器、紅外CCD,束流測量裝置,光學導航 |
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真空系統(tǒng) |
一套濺射離子泵+一套吸氣劑離子復合泵,一套渦輪分子泵,一套機械泵;樣品室真空≤1E-4Pa,電子槍倉真空≤2E-7 Pa;全自動真空控制,具有真空互鎖功能。 |
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樣品臺 |
五軸全自動優(yōu)中心樣品臺,真空內置電機, 樣品臺行程: X≥150mm, Y≥150mm, Z≥60mm, T≥-5°~+75°, R=360°。 |
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能譜儀 |
探測器:硅漂移探測器 有效晶體面積:30mm2 元素探測范圍:B(5) ~ Cf(98) 分辨率:Mn Kα≤129eV @100,000cps 較大輸入計數(shù)率 >1,000,000cps 定量分析計數(shù)率 >100,000cps 1個探測器,2個圖像通道 圖像分辨率:最大8K(可調節(jié)) X射線掃描分辨率:最大8K 應用定性及定量分析方法 具有圖譜采集功能 |
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濺射儀 |
離子濺射儀工作原理:磁控濺射 可選靶材:金,鉑,金鈀合金,鉛,銀,銅,鉻,銻等 全自動操作,簡單易用,非常適用鎢燈絲、臺式掃描電鏡等 濺射電流自動調整——設定濺射電流后,系統(tǒng)自動調節(jié)真空度,從而達到設定的濺射電流,調整時間<5s,波動范圍<±5%; 無需按“實驗”鍵調整濺射電流、無需操作“進氣閥”。 真空室:φ128×100高硅硼玻璃 濺射時間自動記憶——同類樣品一次設定即可; 參數(shù)改變自動調整——濺射過程中可以隨時調整濺射電流和濺射時長,系統(tǒng)自動計算疊加,無需終止濺射過程; 工作完成自動放氣; 樣品臺高度調節(jié)1秒完成; 濺射過程可以利用曲線顯示,清晰直觀。 極限真空:小于1Pa 軟硬件互鎖,防誤操作,安全可靠 濺射電流高于50mA,停止濺射過程; 真空泵工作時,系統(tǒng)無法進行放氣操作; 鍍層均勻,導電性良好 |
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探測器 |
樣品室提供可擴展接口不少于14個,可以外接WDS、EDS、BSE、EBSD等多種附件和探測器。 樣品室內二次電子探測器(ETD)(標配)。 樣品室內插入式背散射探測器(標配)。 In-Column光電型探測器(標配)。 In-Column半導體型探測器(標配)。 |
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